可控硅模块运行特性介绍

2022-05-13

阻断状态:IG=0,a1+a2极小。穿过可控硅模块的漏电流稍超过2个晶体管漏电流之和。开通状态:注入触发电流使晶体管的发射极电流增加以至a1+a2趋于于1的话,穿过可控硅模块的电流IA,将趋于于无穷大,完成饱和导通。IA事实上因为外线路负载的限制,会维系有限值。其它几种可能导通的状况:1)阳极电压上升至很高的数值产生雪崩效应2)阳极电压上升率du/dt过高3)结温较高4)光触发仅有门极触发是最精准、快速而可靠的控制手段。可控硅模块的4点运行特性可控硅模块正常运行时的特性归纳之下:1)承担反方向电压时,不管门极是不是有触发电流,可控硅模块都不...

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igbt的动态工作特性

2022-05-12

igbt在开通过程中,大多数时间是当作MOSFET来运作的,仅是在漏源电压Uds下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间,tri为电流上升时间。实际上使用中常给出的漏极电流开通时间ton即是td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2即是。igbt的触发和断开要求给其栅极和基极间再加上正方向电压和负向电压,栅极电压可由不一样的驱动线路产生。当选择这类驱动线路时,务必基于之下的参数来进行:元器件断开偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为igbt栅极-发射极阻抗大,故可使用MOSFET驱动技术进行触发,不过因为igbt的输入电容较...

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可控硅内部结构与工作原理

2022-05-11

可控硅外型有螺栓型和平板型2种封装。有3个连接端。螺栓型封装,一般螺栓是其阳极,能与散热器紧密连接且组装便捷。平板型可控硅可由2个散热器将其夹在中间。 图1.可控硅的外型、构造和电气图形符号 a)外型b)构造c)电气图形符号常用可控硅的构造 按晶体管的原理,得: Ic1=a1IA+ICBO1      (1-1) Ic2=a2IK+ICBO2     (1-2) IK=IA+IG         &n...

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igbt模块的静态工作特性

2022-05-10

igbt模块的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。igbt模块的伏安特性指的是以栅源电压Ugs为参变量时,漏极电流与栅极电压间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它与GTR的输出特性相似.也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止模式下的igbt模块,正方向电压由J2结承担,反方向电压由J1结承担。倘若无N+缓冲区,则正反方向阻断电压可以达到同样的水平,进入N+缓冲区后,反方向断开电压只可以达到几十伏水平,所以限制了igbt模块的某一些使用范围。igbt模块的转移特性指的是输出漏极电流Id与栅源电压Ugs间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性一样...

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可控硅模块的使用

2022-05-09

一、可控整流好比二极管整流一样,能够把交流整流为直流,且在交流电压没变的状况下,便于地控制直流输出电压的大小即可控整流,完成交流——可变直流。 二、交流调压与调功借助可控硅模块的开关特性替换老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。为了能清除可控硅模块交流调压产生的高次谐波,出現了1种过零触发,完成负载交流功率的无级调节即可控硅模块调功器。交流——可变交流。三、逆变与变频直流输电:将三相高压交流整流为高压直流,由高压直流远距离输送以降低耗损,增加电力网的稳定,之后由逆变器将直流高压逆变为50HZ三相交流。直流——交流。中频加热和交流电动机的变频调速、串激调速等变频,交流——频率可变...

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