优化高电压igbt模块方案

2022-01-21

解决方案:高侧晶体管借助超高速沟道igbt模块igbt模块供应方形反方向偏压工作区伴随着绿色电力运动势头不变,涉及家电、照明和电动工具等使用,以至于其余工业用设施都是在最大限度地利用太阳能的的优点。为了能高效地满足这类产品的需求,电源设计师正借助最少数量的元器件、高度可靠性和耐用性,以高效率把太阳能源转化成须要的交流或直流电压。要为这类使用以高效率制造须要的交流输出电压和电流,太阳能逆变器就须要控制、驱动器和输出功率器件的正确组成。要实现这一目的,在这儿展现了一个对于500W功率输出完成优化,而且有着120V及60Hz频率的单相正弦波的直流到交流逆变器制定。在这个制定中,有个DC/DC电压转换...

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快速可控硅模块在加速器电源系统中的原理

2022-01-20

随之导通时间和关断时间都在10μs下面的快速可控硅模块的出现,尤其是大电流快速可控硅模块的成功研制,促使这类电力电子器件可以进到大电流快速放电开关的行业,并渐渐显现其优越性。本文讲述快速可控硅模块KK400和KK1000在某加速器电源系统中的用。工作原理一整个电源系统输出电流脉冲的重复频率为200Hz,在系统开始工作前,先要借助普通变压器T1为脉冲电容器C2预充电到400V,之后便可断开普通变压器T1完成重复频率运行。图1是系统电路原理图,线路基本原理如下所示。 图1 系统基本原理1)预充电环节三相交流电经半波整流对电解电容C1经限流电阻R1预充电到250V,之后改为由快速可控硅模块KK0对电...

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新的igbt功率模块内部封装工艺

2022-01-19

传承电子发布新的igbt模块内部封装工艺。该工艺可大幅度延长IGBT模块的使用期限。全新的.XT工艺可改进IGBT模块内部全部相连的使用期限。借助这些全新的封装工艺,传承电子可达到具有更高功率循环的新兴使用的要求,并为提升功率密度和实现更高工作结温铺平道路。全新.XT工艺对于目前工艺,能够让IGBT模块的使用期限延长10倍,或使输出功率提升25%。这类新技术可支撑高至200°C的结温。功率循环会造成温度转变,并造成IGBT模块内部相连部位生成机械应力。芯片各层的热膨胀系数不一样,会造成热应力,造成材料疲劳和毁坏。全新.XT工艺涵盖IGBT模块内部相关功率循环功能的全部关键点:芯片正面的键合线、芯片背部的...

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可控硅的过压保护

2022-01-18

可控硅元器件的电压和电流过载能力极差,尤其是耐压能力,瞬时的过压便会导致元器件永久性的毁坏。为了能使元器件能长期可靠地运行,必须针对过压和过电流发生的因素实行保护措施。过压保护可控硅作业过程中将会承担的过压主要有下列几类:1种是因为设备拉、合闸、负载打火等引发的过压;1种是因为元器件关断时产生的关断电压;再有因雷击等因素从电网侵入的浪涌电压。为限制过电压的幅值低过元器件的正反向峰值电压,可实行下列保护措施(见图二)。 (1)在变压器1次侧连上避雷器,在2次侧加装阻容保护、硒堆、压敏电阻等非线性电阻元器件进行保护。在整流直流侧实行压敏电阻和泄能保护设备,以避免元器件承担过电压。 ...

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igbt模块组成的驱动线路

2022-01-17

使用成品驱动模块线路来驱动IGBT,可以大幅提高设备的可靠性,现阶段市面上可以购买到的驱动模块主要有:富士的EXB840、841,三菱的M57962L,落木源的KA101、KA102,传承的HCPL316J、3120等。这类模块均具备过流软断开、高速光耦隔离、欠压锁定、故障信号输出作用。因为这类模块具备保护功能完善、免调试、可靠性高的特性,所以使用这类模块驱动IGBT可以缩减产品开发周期,提升产品可靠性。HCPL316J的典型线路如下图4所显示。 图4由驱动模块组成的驱动线路HCPL316J可以驱动150A/1200V的igbt模块,光耦隔离,COMS/TTL电平兼容,过流软断开,最大开关速度500n...

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