新闻列表 - 传承电子科技(江苏)有限公司 - IGBT模块_可控硅模块

IGBT模块的组装

2022-03-10

IGBT模块组装首要要组装模块散热器，之后再将模块组装到散热器上。igbt模块的散热器安装技巧和步骤igbt模块断开耗损大、拖尾严重制约了其在高频运用的发展，而导致igbt模块延迟开和关的原因主要有两层面。文中介绍igbt模块的散热器安装技巧和步骤。1.1只igbt模块组装在1个散热器上，igbt模块组装在散热器中心，则热阻会最小。2.1个散热器如组装多只igbt模块，则要在充分考虑耗损外还要按照不同igbt模块来分配面积。3.igbt模块组装散热器的螺钉位置外表粗糙度在10μm之内，平面度控制在100μm之内。4.igbt模块与散热器间涂抹散热绝缘混合剂，涂抹计较主要是要确保在igb...

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可控硅有什么主要用途

2022-03-09

可控硅是1种十分重要的功率器件，主要特点是借助小电流完成高电压、大电流的控制，在实际使用中主要是用作可控整流器件和可控电子开关使用，可用作电动机驱动控制、电动机调速控制、电量通/断、调压、控温等的控制器件，普遍使用于电子电器产品、工业控制及自动化生产领域。1.可控硅用作可控整流器件使用可控硅可与整流器件组成调压线路，使整流线路输出电压具备可调性。下图图为由可控硅组成的典型调压线路。 2.可控硅用作可控电子开关使用在许多电子产品线路中，可控硅在大多数情况下起着可控电子开关的功能，即在线路中由其本身的导通和截止来控制线路接通、断开。下图为可控硅用作可控电子开关在线路中的使用...

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igbt模块读写速度怎么提高？

2022-03-08

igbt模块断开耗损大、拖尾严重制约了其在高频运用的发展，而导致igbt模块延迟开和关的原因主要有两层面。文中将各自对应这两层面，提出对应的解决方案，解决元器件拖尾问题，提高igbt模块开关速度。igbt模块断开耗损大、拖尾是严重制约高频运用的拦路虎。这问题由两层面组成：1）igbt模块的主导元器件—GTR的基区储存电荷问题。2）栅寄生电阻和栅驱动电荷，组成了RC延迟网络，导致igbt模块延迟开和关。这儿，首要探讨原因一的解决方案。解决线路见图（1）。图1：提高igbt模块开关速度技巧（一）igbt模块的GTR是借助基区N型半导体，在开通时，通过施加基极电流，使之转为P型，将...

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可控硅模块工作原理

2022-03-07

晶闸管在运行过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，构成可控硅模块的主线路，可控硅模块的门极G和阴极K与控制可控硅模块的设备连接，构成可控硅模块的控制电路。可控硅模块为半控型电力电子元器件，它的运行情况以下：1.可控硅模块承担反方向阳极电压时，不论门极承担何种电压，可控硅模块都处在反方向阻断模式。2.可控硅模块承担正方向阳极电压时，仅在门极承担正方向电压的情况下可控硅模块才导通。这时可控硅模块处在正向导通模式，这就是可控硅模块的闸流特性，即可控特性。3.可控硅模块在导通情况下，只需有一定的正方向阳极电压，不论门极电压如何，可控硅模块维持导通，即可控硅模块导通后，门极丧失作用。门极...

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igbt模块元器件自损快速检测法

2022-03-04

1种新型igbt模块元器件自损快速检测法（即门极电流ig检测法）当igbt模块元器件毁坏时，门极与发射极间也被击穿，但因为结电容的作用，门极电压变动缓慢。但按照电路理论i=cdu/dt得知，门极电流ig变动比门极电压vge快得多。所以，可以综合igbt模块的门极脉冲指令与门极电流来准确、快速地判定igbt模块是不是毁坏。一经检测到某一igbt模块毁坏，立即封锁igbt模块脉冲指令，能完全避免并接回路大量igbt模块毁坏，并不会扩大故障范围。具体原理图如图4所显示。图4：门极电流检测和保护原理图igbt模块元器件正常时，当门极电压给定信号从on切换成off后，igbt模块门极电流ig数值十分小，具体数...

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