可控硅模块元器件失控的原因

2021-04-19

可控硅模块做为1种电子线路中常用的元器件,是很多工程师们都熟知的元器件之一。在平常的使用过程中,可控硅模块有时候会因为一些因素失去控制,那导致可控硅模块失去控制的常用因素都有哪些呢?实际上导致可控硅模块失控的情形,大致上可分成3类,在今天的文章中,我们将会就可控硅模块元器件失控的3个因素展开详细分析。

可控硅模块元器件失控的原因:

1、第1个因素,即可控硅模块的正向阻断力降低。在平常的使用中,一旦可控硅模块长时间不用,而同时又因为密封不好的缘故受潮,那可控硅模块元器件正向阻断作用是很容易降低的,可控硅模块元器件的正向阻断作用降低到低于整流变压器的2次电压,硅元器件就不必等触发脉冲来便会自然的导通,导致脉冲控制无法起作用,输出的电压波形是1个正半波,促使励磁电压提高。

2、第2个因素,是线路中的维系电流过小,因为发电机转子是以电感为主导的大电流负载,对于半控桥而言,电压过零之后,电流并不是零,即便 半控桥在电感负载侧设立续流管,但若是续流管的管压降高过导通的可控硅模块元器件的管压降,电感上的电流除大多数从续流管流过外,仍有一部分电流在原导通的可控硅模块上流过。

这个电流虽说是衰减的,但在外加电压整个负半周,电流仍无法减到低于维系电流,到下1个正半周到来时,该硅元器件就不用等触发脉冲来就继续导通。这样持续下来,一相可控硅模块持续导通,一样会因输出大电流而导致误强励。

3、触发器丢脉冲是第3个导致可控硅模块元器件失去控制因素,在电路系统正常运作的前提下,一旦三相脉冲正常,即便 维系电流很小可控硅模块元器件能够保证正常换相,不会发生失控的情况,而一旦发生了丢脉冲的情形,则可控硅模块就无法保证正常换相,元器件本身也一定会失控。

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