新的igbt功率模块内部封装工艺

2022-01-19

传承电子发布新的igbt模块内部封装工艺。该工艺可大幅度延长IGBT模块的使用期限。全新的.XT工艺可改进IGBT模块内部全部相连的使用期限。借助这些全新的封装工艺，传承电子可达到具有更高功率循环的新兴使用的要求，并为提升功率密度和实现更高工作结温铺平道路。

全新.XT工艺对于目前工艺，能够让IGBT模块的使用期限延长10倍，或使输出功率提升25％。这类新技术可支撑高至200°C的结温。

功率循环会造成温度转变，并造成IGBT模块内部相连部位生成机械应力。芯片各层的热膨胀系数不一样，会造成热应力，造成材料疲劳和毁坏。全新.XT工艺涵盖IGBT模块内部相关功率循环功能的全部关键点：芯片正面的键合线、芯片背部的焊接（芯片至DCB）和DCB（直接键合铜）至基板的焊接。

这类全新的相连工艺通过精心开发，可达到传承电子目前的多数封装和全新的模块封装的要求。全部3种新相连工艺都是依托于标准工艺，非常适合用在批量生产。

供货

选用全新.XT工艺的第一款产品是PrimePACK2模块FF900R12IP4LD。该模块选用半桥配备，具有900Arms的电流，依托于IGBT4芯片，最大工作结温为150°C。

以上就是传承电子对新的igbt功率模块内部封装工艺的介绍，传承电子是一家以电力电子为专业领域的功率半导体模块制造商，为众多的企业公司提供功率半导体模块的定制、生产和加工，同时还给众多公司提供来料代工或贴牌加工业务。主要产品为各种封装形式的绝缘式和非绝缘式功率半导体模块、各种标准和非标准的功率半导体模块等。

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